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中國已成為全球增長速度最快的單晶硅生產(chǎn)和消費國家,單晶硅分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法,其中直拉法硅單晶生長(CZ)產(chǎn)品占總產(chǎn)量的70%-80%。
為滿足集成電路的發(fā)展,對硅單晶材料提出了“大尺寸、高品質(zhì)”的要求。因晶圓直徑越大,芯片成本越低,伴隨著大直徑硅單晶的發(fā)展,投料量增加,大熔體嚴重對流成為制約高品質(zhì)單晶生成的關(guān)鍵問題。
在大尺寸單晶硅片制備領(lǐng)域,新型磁控直拉硅單晶技術(shù)由于具備無生長條紋、單晶硅二次缺陷少、雜質(zhì)含量低等優(yōu)勢,成為目前該領(lǐng)域主流技術(shù)。
相較于永磁體、常規(guī)電磁體,超導(dǎo)磁體由于其低能耗、磁場強度高、抑制溶體對流水平磁場均勻性好等優(yōu)點,被公認為適用于單晶硅制備的最佳方案。
用高溫超導(dǎo)材料制作大口徑傳導(dǎo)式磁體,無需消耗液氮,制冷成本低,可以滿足大尺寸(6-12in及以上)、高品質(zhì)單晶硅生長所需的磁場強度(水平方向0.1T-0.5T)。
低溫超導(dǎo)線材的工作溫度為液氦溫區(qū)4.2K附近,超導(dǎo)態(tài)溫度區(qū)域很窄,易產(chǎn)生失超現(xiàn)象。而高溫超導(dǎo)帶材,只要在液氮溫區(qū)77K以下,超導(dǎo)帶材就可顯現(xiàn)超導(dǎo)特性。因此高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長爐磁體工作溫度范圍更廣,對溫度的適應(yīng)性更強。
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